Tuburi tantalum utilizate în câmpul semiconductorului

Shaanxi Zhongheng Weichuang Metal Materials Co., Ltd. Furnizează High - Metale rare de calitate, incluzând în principal Niobium Hafnium Alloy 103, Tungsten, Tantal, Niobium, Hafnium, Titan, Zirconium, Nichel, Vanadium și Alloys of Convention Processed Profils, precum Plate, Strips, Coils, rod, rod, rod, rod, rodi Firuri, conducte, precum și produse prelucrate profunde, cum ar fi nave, creuzete, ținte de sputtering, ținte de acoperire, piese prelucrate, ridicate - ecrane de izolare a cuptorului de temperatură, elemente de încălzire, corpuri de cuptor (cuptoare de încălzire, cuptoare de recoacere), coroziune - echipament rezistent, etc.

În calitate de producător, furnizor și exportator de tantalum, oferim o puritate ridicată -, ridicată - rezistentă la temperatură, coroziune - rezistentă, aerospațială, apărare, militară și marină, produse specializate cu o calitate liberă și prețuri mai favorabile! Serviciul pentru clienți este întotdeauna online, deci nu aveți griji.
 

Caracteristici și caracteristici

 

Punct de topire ridicat și o bună conductivitate

Tantalum are un punct de topire de până la 2996 grade C, permițându -i să funcționeze stabil în medii cu temperaturi ridicate. Tantalum are o conductivitate excelentă și este potrivită pentru diverse aplicații ridicate de temperatură - la temperatură în fabricarea semiconductorilor.

Stabilitatea chimică și rata scăzută de evaporare

Tantalum are o stabilitate chimică excelentă la temperaturi ridicate și nu este ușor reactivă cu majoritatea gazelor și lichidelor, ceea ce îl face potrivit pentru medii corozive. Tantalum are o rată de evaporare extrem de scăzută la temperaturi ridicate și este potrivit pentru utilizare în medii de presiune în vid sau scăzute -.

Puritate ridicată și rezistență mecanică

Fabricarea semiconductorului necesită o puritate a materialului extrem de ridicată, iar tuburile de tantal sunt de obicei foarte purificate pentru a evita impuritățile care afectează performanța dispozitivelor semiconductoare. Tantalum are o rezistență mecanică ridicată și poate rezista la stresul mecanic la temperaturi ridicate.

În fabricarea cipurilor cu semiconductor, tuburile tantalului devin substratul de bază al țintelor de sputtering după prelucrarea de precizie. Gradul 5n5 (puritate 99.9995%) mare - Tantalum de dimensiuni semifabricat produs de industria tantalului Dongfang a fost aplicată la depunerea stratului de barieră de interconectare de cupru în procesul de 7 nm, cu dimensiunea cerealelor controlată în 20 μm, obținând un nivel internațional de conducere a unei uniformitate a grosimii filmului de ± 3%. Un caz tipic arată că un Fab de wafer intern de 12 inci folosind acest tip de material țintă a crescut randamentul cipului cu 12%, iar durata de viață a materialului țintă a fost extinsă la 2,3 ori mai mare decât țintele tradiționale de titan. Acest avantaj de performanță provine din structura unică de cristal a tantalului - rețeaua cubică centrată pe corp poate suprima eficient difuzarea atomului de cupru și poate evita scurtcircuitele de circuit.

Condensatorul tantalului de 0,15 mm utilizat în telefoanele pliabile necesită tubul său de plumb intern pentru a rezista la 100000 de teste de îndoire. Tubul de tantalum ultrafină (diametrul 0,8 mm, grosimea peretelui 0,05 mm) dezvoltat de Baoji Yixintai a fost supus unui proces de lustruire electrolitică la rulare rece, reducând rugozitatea suprafeței la RA0.1 μm și scăderea ESR (rezistența la serie echivalentă) a condensatorului la sub 5m ω. Conform datelor de testare reale ale seriei Huawei P70, această tehnologie îmbunătățește eficiența de încărcare rapidă cu 18%, iar rata de descompunere a capacității este mai mică de 2% la mii de ore într -un mediu de temperatură ridicată de 85 de grade

Funcția de lucru electronică a tantalului (4.25 eV) este semnificativ mai mare decât cea a cuprului (4.0 eV) și a titanului (4.1 eV), iar o structură de film subțire mai densă poate fi produsă în timpul procesului PVD. Datele experimentale arată că densitatea curentului de scurgere a stratului de barieră tantalum este cu 1-2 ordine de mărime mai mică decât cea a nitrurii de titan, ceea ce este crucial pentru izolarea inter-stratului de memorie 3D nand Cererea anuală globală de tental de grad semiconductor este doar de 60%, dar tantal de tantalum exploatabil din punct de vedere economic poate satisface doar 60%.

Odată cu descoperirea nodurilor de proces semiconductor sub 3nm, aplicarea tuburilor tantal se extinde de la materiale tradiționale de strat de barieră la tăiere - câmpuri de margine, cum ar fi trei - gestionare termică integrată dimensională și substraturi cuantice. La nivel tehnic, dezvoltarea tuburilor de tantal nanopore (porozitate 70% -90%) a intrat în stadiul pilot, cu o suprafață specifică de 200-300m ²/g, care poate îmbunătăți semnificativ rata de utilizare a precursorului procesului de depunere a stratului atomic (ALD). Previziunile pieței arată că cererea globală de tuburi de tantalum pentru semiconductori se va extinde la o rată anuală de creștere compusă de 11,8% din 2025 până în 2030, ambalajele integrate eterogene reprezentând peste 40%.

Este demn de remarcat faptul că cea mai recentă listă de minerale cheie lansate de Departamentul de Energie al SUA (DOE) a enumerat Tantalum drept un „material extrem de important”, iar valoarea sa strategică este redimensionarea peisajului lanțului de aprovizionare global. China este de așteptat să obțină o rată de substituție internă de 70% până în 2027 prin integrarea resurselor de minereu și descoperiri de la Yichun Tantalum în tehnologia de purificare a nivelului 6n.

Tag-uri populare: Tuburi de tantalum utilizate în câmpul semiconductor, tuburile din China Tantalum utilizate la producătorii de câmpuri semiconductoare, furnizori, fabrică, aliaj de tantalum pentru generarea de energie, folie de tantalum pentru cercetare și dezvoltare, tantal pentru rezervoare chimice, Tantalum pentru aplicații de înaltă presiune, Metal de înaltă performanță Tantalum, Foaie Tantalum în scopuri industriale